Читать курсовая по информатике, вычислительной технике, телекоммуникациям: "Принцип дії і режими роботи біполярного транзистора" Страница 1

(Назад) (Cкачать работу)

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ

Київський інститут бізнесу і технологій

Вінницька філія

Кафедра фундаментальних дисциплін Курсова робота

на тему: «Принцип дії і режими роботи біполярного транзистора» Виконав:

студент 3 курсу

групи 02.13 КСМ (2,5д)

Яремчук Андрій Михайлович Вінниця - 2014 рік

Зміст Вступ

Розділ 1. Загальні відомості про біполярні транзистори

.1 Будова біполярного транзистора

.2 Принцип дії

.3 Класифікація

Розділ 2. Схеми включення біполярних транзисторів

.1 Режими біполярних транзисторів

.2 Статичні характеристики

.3 Диференційні параметри транзисторів

Розділ 3. Основні параметри

.1 Режими роботи транзистора

.2 Найпростіший підсилювальний каскад на біполярному транзисторі

.3 Розрахунок електричних ланцюгів з біполярними транзисторами

.4 Власні шуми в транзисторах

Висновок

Список використаної літератури Вступ Біполярний транзистор винайшли в 1947 році Джон Бардін і Волтер Браттейн під керівництвом Шоклі із Bell Labs, за що отримали Нобелівську премію з фізики. Вперше його продемонстрували 16 грудня, а 23 грудня відбулось офіційне представлення винаходу і саме ця дата вважається днем відкриття транзистора.

Мета даної курсової роботи полягає в закріпленні знань, отриманих при вивченні дисципліни «Основи схемотехніки», в отриманні досвіду розробки і розрахунку основних характеристик підсилювальних каскадів, а також в активізації самостійної навчальної роботи, в розвитку умінь виконувати інформаційний пошук, користуватися довідковою літературою, визначати параметри і еквівалентні схеми біполярних і польових транзисторів, отримувати різнобічне уявлення про конкретні електронних елементах.

В ході виконання курсової роботи для заданого типу транзистора визначаються параметри і статичні характеристики, в відповідності зі схемою включення і величинами елементів схеми підсилювального каскаду вибирається положення режиму спокою, для якого розраховуються величини елементів еквівалентних схем транзистора і мало сигнальні параметри транзистора, графоаналітичним методом визначаються параметри підсилювального каскаду. Розділ 1. Загальні відомості про біполярні транзистори Бiполярний транзистор - це напівпровідниковий елемент електронної техніки, який дозволяє керувати струмом, що протікає через нього, за допомогою прикладеної до додаткового електрода напруги.

Транзистори є основними елементами сучасної електроніки. Зазвичай вони застосовуються в підсилювачах і логічних електронних схемах.

У мікросхемах в єдиний функціональний блок об'єднані тисячі й мільйони окремих транзисторів.

Найбільш поширені транзистори з двома n-p-переходами, звані біполярними, оскільки їх робота заснована на використанні носіїв заряду обох знаків.

Перші транзистори були точковими, але вони працювали недостатньо стійко. В даний час виготовляються і застосовуються виключно площинні транзистори.

На рисунку 1.1 схематично показана будова біполярного транзистора NPN типу. Колектором служить напівпровідник n-типу, легований донорами до невисокої концентрації 1013-1015 см−3.

Рис.1.1 - Поперечний розріз транзистора Перед створенням бази напівпровідник покривають

Похожие работы