Читать курсовая по информатике, вычислительной технике, телекоммуникациям: "Биполярный транзистор БТ–3" Страница 1

(Назад) (Cкачать работу)

Министерство науки и образования РФ

Новосибирский Государственный Технический Университет

Кафедра ПП и МЭКурсовая работа по твердотельной электронике

Биполярный транзистор БТ-3Факультет: РЭФ Группа: РП4-91

Студент: Эрдынеев А.Б

Преподаватель: Макаров Е.А.

Новосибирск 2011

Исходные данные для проектирования Эмиттерный слой

. Концентрация доноров, см35*1020

. Глубина залегания, мкм1,5

. Площадь эмиттера, мкм220

Базовый слой

. Концентрация акцепторов, см-35?1018

. Глубина залегания, мкм2

. Время жизни электронов, нс200

. Скорость поверхностной рекомбинации, см/с 1000

Эпитаксиальная пленка

. Концентрация доноров, см-32?1016

. Толщина пленки, мкм3

. Диффузионная длина дырок, мкм0,05

Подложка

. Концентрация акцепторов, см-32?1014

Скрытый слой

. Поверхностная концентрация доноров, см-2 2*1014

. Глубина залегания, мкм1

Используемые константы

. ?= 3,14

. q = 1,6?10-19 Кл

. Т = 300 К

. kТ/q = 0,025

. ??= 8,8510-14 Ф/см Структура биполярного транзистора Биполярный транзистор - это полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими выпрямляющими электрическими переходами и тремя (или более) выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.

Область транзистора, расположенную между p-n переходами, называют базой. Примыкающие к базе области чаще всего делают неодинаковыми. Одну из областей изготавливают так, чтобы из нее наиболее эффективно происходила инжекция носителей в базу, а другую - так, чтобы соответствующий p-n переход наилучшим образом осуществлял экстракцию носителей из базы.

Биполярные транзисторы являются основными активными элементами биполярных ИМС. Транзисторы n-p-n типа используются гораздо чаще, чем p-n-p, так как у n-p-n структуры проще обеспечить необходимые характеристики.

Планарно-эпитаксиальный транзистор со скрытым слоем и изоляцией p-n-перехода является наиболее широко распространённой разновидностью биполярного транзистора ИМС. Его физическая структура дана на рис. 1., а одномерное распределение легирующих примесей на рис. 2.

Рис. 1 Физическая структура n-p-n интегрального транзистора со скрытым слоем и изоляцией p-n переходов. Исходным материалом служит кремниевая подложка p-типа с удельным сопротивлением порядка 5…20 Ом.см. Основные процессы, используемые для изготовления n-p-n транзисторов со скрытым слоем:

на поверхность подложки p-типа методом селективной диффузии создается скрытый слой n+-типа;

создается кремниевая пленка n-типа толщиной обычно 1-3 мкм;

проводится глубокая диффузия акцепторной примеси, обеспечивающая электрическую изоляцию этих элементов (этот процесс наиболее сложен);

выполняется диффузия донорной примеси для создания сильно легированной области n+-типа под коллекторным электродом;

диффузионным способом формируется база и эмиттер;

создаются контактные окна;

завершающими процессами являются металлизация, проводимая для получения токоведущих дорожек, и пассивирование.

Сюда входят классические процессы обработки кремния: фотолитография, диффузия и/или ионная имплантация, эпитаксия, высокотемпературная оксидирование, металлизация, отчистка поверхности,

Похожие работы