Читать курсовая по информатике, вычислительной технике, телекоммуникациям: "Физические основы микроэлектроники 2" Страница 1

(Назад) (Cкачать работу)

Сарапульский политехнический институт (филиал)

Государственного образовательного учреждения

высшего профессионального образования

«Ижевский государственный технический университет»

Кафедра КиПР

Курсовая работа

По дисциплине: Физические основы микроэлектроники.

На тему: Дислокации. Вектор Бюргерса. Влияние дислокации на свойства

конструкционных материалов.

Выполнил:Проверил:

студент гр. 471преподаватель

Волков А.ВИванников В.П.

Сарапул, 2010

Содержание:

Введение................................................................... 1

Виды дислокации................................................... ..2

Контур и вектор Бюргерса.......................................2-3

Движение дислокации......................................... ...3-4

Плотность дислокации..............................................4

Сила, действующая на дислокации........................4-5

Энергия дислокации..................................................5

Размножение и скопление дислокации..................5-6

Дислокации Франка и дефекты упаковки................6

Дислокации и физические свойства кристаллов.....7

Зависимость прочности от наличия дислокации...7-8

Рост кристаллов..........................................................8

Дислокации и электропроводимость.......................8-9

Заключение......................................................................10

Список используемой литературы........................... 11 Введение

Теория дислокации появилась в 50-е гг. прошлого века в связи с тем, что теоретические расчеты прочности материалов значительно отличались от практических.

Теоретическая прочность кристалла на сдвиг впервые была вычислена Френкелем, исходя из простой модели двух рядов атомов, смещенных под действием напряжения сдвига. Межплоскостное расстояние (расстояние между рядами) равно а , а расстояние между атомами в направлении скольжения равно b . Под действием напряжения сдвига τ эти ряды атомов смещаются относительно друг друга, попадая в равновесные позиции в таких точках, как А , В и С , D , где напряжение сдвига, необходимое для данной конфигурации сдвига равно нулю. В промежуточных положениях напряжение сдвига имеет конечные значения, которые периодически изменяются в объеме решетке. Предполагают, напряжение сдвига τ будет функцией смещение х с периодом b:

(1.1)

Для малых смещений:

(1.2)

Используя закон Гука:

,(1.3)

где G – модуль сдвига, а– деформация сдвига, находим коэффициент пропорциональности к:

(1.4)

Подставляя данное значение к в (1.1) получим:

(1.5)

Максимальное значение τ , отвечающее напряжению при котором решетка переходит в неустойчивое состояние:

Можно принять а ≈ b, тогда напряжение сдвига .

Вычисленные таким образом теоретические напряжения сдвига различных материалов оказалось значительно большим по сравнению с практическими значениями. Так для меди

теоретическое значение = 760 кгс/мм, а практическое значение для реальных кристаллов = 100 кгс/мм.

В связи с сильным расхождением теоретических и практических результатов предположили наличие в кристалле микроскопических линейных дефектов, дислокаций.

Дислокации – нарушения непрерывности смещения между двумя частями кристалла, из

Похожие работы