Читать курсовая по электротехнике: "Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок" Страница 1

(Назад) (Cкачать работу)

Московский Государственный

Технический Университетим. Н. Э. Баумана

Калужский филиалКАФЕДРА МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ И МАТЕРИАЛОВ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ

Курсовая работапо курсу:” Технология материалов электронной техники”

ТЕМА: ” Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок.”Выполнил: Тимофеев А. Ю.

Группа: ФТМ-71

Проверил: Кунакин Ю. И. г. Калуга

1996 год

Содержание Введение.3

Электрофизические свойства объемного арсенида индия. 3

Зонная структура арсенида индия.3 Оптические свойства арсенида индия.4 Подвижность в арсениде индия.5

Методы глубокой очистки индия и мышьяка.6

Методы глубокой очистки индия.6 Методы получения мышьяка и его соединений высокойстепени чистоты.7

Эпитаксиальное наращивание арсенида индия

из газовой фазы.7

Система In-AsCl3-H2 .8 Система In-HCl-AsH3-H2.9 Система InAs-SiCl4-H2.10 Пиролиз МОС.11

Жидкофазная эпитаксия арсенида индия.12

Молекулярно лучевая эпитаксия арсенида индия.13

Заключение.14

Список использованной литературы.16 Введение. Эпитаксиальный арсенид индия - перспективный материал электронной техники. Высокая подвижность электронов в арсениде индия прямозонная структура позволяют использовать его для изготовления высокоэффективных электронных и оптоэлектронных приборов, в частности быстродействующих транзисторов и интегральных схем, фотоприемных детекторов ИК - диапазона, инжекционных лазеров с длиной волны »3,5 мкм.

Однако широкое использование тонкопленочных структур арсенида индия сдерживается отсутствием полуизолирующих подложек в связи с малой шириной запрещенной зоны арсенида индия. Следует также отметить недостаточную механическую прочность материала. Указанные проблемы могут быть преодолены, по крайней мере частично, при гетероэпитаксиальном выращивании арсенида индия. В этом случае, как правило, эпитаксию проводят на подложках арсенида галлия с ориентацией поверхности (001).

Значительное рассогласование параметров решеток арсенида индия и арсенида галлия 7.4% приводит при получении гетероэпитаксиальных пленок арсенида индия и арсенида галлия методами газотранспортной и жидкофазной эпитаксии к формированию переходного слоя значительной толщины и к большей плотности морфологических и структурных дефектов. Это обусловлено ограничениями как физического характера, присущим данным эпитаксиальным технологиям, так и ограничениям, связанными с “ненаблюдаемостью” процесса роста.

Электрофизические свойства объемного арсенида индия.

Зонная структура арсенида индия. Зона проводимости.Арсенид индия является прямозонным полупроводником, у которого зона проводимости сферически симметрична и минимум ее находится в центре зоны Бриллюэна. Вблизи минимума кривизна зоны велика, вследствие чего эффективная масса электрона очень мала и равна me»0.026 m0. Зона проводимости имеет не-параболичную форму, кривизна ее уменьшается с увеличением энергии. Экспериментальные результаты подтверждают непараболичность зоны проводимости. Измерение эффективной массы на поверхности уровня

Похожие работы