- 1
- 2
- 3
- . . .
- последняя »
Министерство образования Российской Федерации
Кафедра: «Электронное машиностроение».
Курсовой проектСборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Выполнил: ст-т гр. ЭПУ - 32 Козачук Виталий Михайлович Проверил: доцентШумарин Виктор ПракофьевичСаратов 2000 г.
СБОРКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМОсобенности процесса сборкиСборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем является наиболее трудоемким и ответственным технологическим этапом в общем цикле их изготовления. От качества сборочных операций в сильной степени зависят стабильность электрических параметров и надежность готовых изделий.
Этап сборки начинается после завершения групповой обработки полупроводниковых пластин по планарной технологии и разделения их на отдельные элементы (кристаллы). Эти кристаллы, могут иметь простейшую (диодную или транзисторную) структуру или включать в себя сложную интегральную микросхему (с большим количеством активных и пассивных элементов) и поступать на сборку дискретных, гибридных или монолитных композиций.
Трудность процесса сборки заключается в том, что каждый класс дискретных приборов и ИМС имеет свои конструктивные особенности, которые требуют вполне определенных сборочных операций и режимов их проведения.
Процесс сборки включает в себя три основные технологические операции: присоединение кристалла к основанию корпуса; присоединение токоведущих выводов к активным и пассивным элементам полупроводникового кристалла к внутренним элементам корпуса; герметизация кристалла от внешней среды.
Присоединение кристалла к основанию корпусаПрисоединение кристалла полупроводникового прибора или ИМС к основанию корпуса проводят с помощью процессов пайки, приплавления с использованием эвтектических сплавов и приклеивания.
Основным требованием к операции присоединения кристалла является создание соединения кристалл основание корпуса, обладающего высокой механической прочностью, хорошей электро и теплопроводностью.
Пайка процесс соединения двух различных деталей без их расплавления с помощью третьего компонента, называемого припоем. Особенностью процесса пайки является то, что припой при образовании паяного соединения находится в жидком состоянии, а соединяемые детали в твердом.
Сущность процесса пайки состоит в следующем. Если между соединяемыми деталями поместить прокладки из припоя и всю композицию нагреть до температуры плавления припоя, то будут иметь место следующие три физических процесса. Сначала расплавленный припой смачивает поверхности соединяемых деталей. Далее в смоченных местах происходят процессы межатомного взаимодействия между припоем и каждым из двух смоченных им материалов. При смачивании возможны два процесса: взаимное растворение смоченного материала и припоя или их взаимная диффузия. После охлаждения нагретой композиции припой переходит в твердое состояние. При этом образуется прочное паяное соединение между исходными материалами и припоем.
Процесс пайки хорошо изучен, он прост и не требует сложного и дорогостоящего оборудования. При серийном выпуске изделий электронной техники припайка полупроводниковых кристаллов к основаниям
- 1
- 2
- 3
- . . .
- последняя »
Похожие работы
Тема: Сборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем |
Предмет/Тип: Радиоэлектроника (Реферат) |
Тема: Сборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем |
Предмет/Тип: Электротехника (Реферат) |
Тема: Исследование полупроводниковых приборов |
Предмет/Тип: Информатика, ВТ, телекоммуникации (Книга / Учебник) |
Тема: Производство полупроводниковых приборов |
Предмет/Тип: Информатика, ВТ, телекоммуникации (Курсовая работа (т)) |
Тема: Применение полупроводниковых приборов |
Предмет/Тип: Информатика, ВТ, телекоммуникации (Реферат) |
Интересная статья: Быстрое написание курсовой работы